在生產(chǎn)環(huán)節(jié)方面，如今的燒結方法有熱壓碳化硅、常壓燒結碳化硅、反應燒結碳化硅。我們應該采用熱壓燒結碳化硅方法，因為其燒結出來的碳化硅陶瓷抗彎強度是三種方法更高的，而且斷裂韌性也是更高的，彈性模量更低。并且在熱壓燒結時在SiC中添加AIN，因為通過這種方法材料的抗彎強度會達到1100MPa。增強碳化硅陶瓷的韌性，通過晶須增加陶瓷復合材料的韌性，此方法一般有4種形式：裂紋偏轉(zhuǎn)效應、微裂紋效應、晶須拔出效應、裂紋橋聯(lián)效應和晶須的加入引起基體相變增韌，裂紋偏轉(zhuǎn)增韌是裂紋非平面斷裂效應的一種增韌方式。裂紋擴展到達晶須時，被迫沿晶須偏轉(zhuǎn)，這意味著裂紋的前行路徑更長，裂紋尖端的應力強度減少，裂紋偏轉(zhuǎn)的角度越大，能量釋放率就越低，斷裂韌性就提高。微裂紋增韌就是在微裂紋尖端的應力場和殘余應力作用下，晶須形成微裂紋源，而在裂紋前方形成散步的(不聯(lián)通的)微裂紋區(qū)。拔出效應是指當裂紋擴展遇到高強度晶須時，在裂紋尖端附近晶須與晶面上存在較大的剪切應力，該應力極易造成晶須與晶界的分裂，晶須可以從基體中拔出，因界面摩擦而消耗外界載荷的能量而達到增韌的目的。同時晶須從基體中拔出會產(chǎn)生微裂紋來吸收更多的能量。