SIC是強(qiáng)共價(jià)鍵結(jié)合的化合物。因而，燒結(jié)時(shí)的擴(kuò)散速率非常低。即使在2100℃的高溫下，C和SI的自擴(kuò)散系數(shù)也僅為所以， 碳化硅很難燒結(jié)，必須借助添加劑或外部壓力或滲硅反應(yīng)才能實(shí)現(xiàn)致密化。目前，制備高密度碳化硅陶瓷的方法主要有無壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、熱等靜壓燒結(jié)和反應(yīng)燒結(jié)等。

  通過無壓燒結(jié)工藝可以制備出復(fù)雜形狀和大尺寸的碳化硅部件。因此， 被認(rèn)為是SIC陶瓷更有前途的燒結(jié)方法。采用熱壓燒結(jié)工藝只能制備簡單形狀的SIC部件，而且一次熱壓燒結(jié)過程所制備的產(chǎn)品數(shù)量很小，因而不利于商業(yè)化生產(chǎn)。

  熱等靜壓工藝可以獲得復(fù)雜形狀的SIC制品，但必須對素壞進(jìn)行包封，所以， 也很難實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。

反應(yīng)燒結(jié)工藝可以制備出復(fù)雜形狀的SIC部件，而且其燒結(jié)溫度較低。但是，反應(yīng)燒結(jié)SIC陶瓷的高溫性能較差。

一般來說，無壓燒結(jié)SIC陶瓷的綜合性能優(yōu)于反應(yīng)燒結(jié)的SIC, 但是遜色于熱壓燒結(jié)和熱等靜壓燒結(jié)的SIC。

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