1.增強(qiáng)其抗彎強(qiáng)度，在生產(chǎn)環(huán)節(jié)方面，如今的燒結(jié)方法有熱壓碳化硅、常壓燒結(jié)碳化硅、反應(yīng)燒結(jié)碳化硅。我們應(yīng)該采用熱壓燒結(jié)碳化硅方法，因?yàn)槠錈Y(jié)出來的碳化硅陶瓷抗彎強(qiáng)度是三種方法更高的，而且斷裂韌性也是更高的，彈性模量更低。并且在熱壓燒結(jié)時(shí)在SiC中添加AIN，因?yàn)橥ㄟ^這種方法材料的抗彎強(qiáng)度會達(dá)到1100MPa。

  2.增強(qiáng)陶瓷的韌性，通過晶須增加陶瓷復(fù)合材料的韌性，該方法的機(jī)理一般有4種形式：裂紋偏轉(zhuǎn)效應(yīng)、微裂紋效應(yīng)、晶須拔出效應(yīng)、裂紋橋聯(lián)效應(yīng)和晶須的加入引起基體相變增韌。裂紋偏轉(zhuǎn)增韌是裂紋非平面斷裂效應(yīng)的一種增韌方式。裂紋擴(kuò)展到達(dá)晶須時(shí)，被迫沿晶須偏轉(zhuǎn)，這意味著裂紋的前行路徑更長，裂紋尖端的應(yīng)力強(qiáng)度減少，裂紋偏轉(zhuǎn)的角度越大，能量釋放率就越低，斷裂韌性就提高。微裂紋增韌就是在微裂紋尖端的應(yīng)力場和殘余應(yīng)力作用下，晶須形成微裂紋源，而在裂紋前方形成散步的(不聯(lián)通的)微裂紋區(qū)。拔出效應(yīng)是指當(dāng)裂紋擴(kuò)展遇到高強(qiáng)度晶須時(shí)，在裂紋尖端附近晶須與晶面上存在較大的剪切應(yīng)力，該應(yīng)力極易造成晶須與晶界的分裂，晶須可以從基體中拔出，因界面摩擦而消耗外界載荷的能量而達(dá)到增韌的目的。同時(shí)晶須從基體中拔出會產(chǎn)生微裂紋來吸收更多的能量。

  3.根據(jù)現(xiàn)在的研究，彈丸以高速撞擊陶瓷復(fù)合裝甲時(shí)，在撞擊面形成一個(gè)斷裂錐體，并向陶瓷和背板之間的界面擴(kuò)展(圖1)。在撞擊剛過之后，在與陶瓷撞擊面相對的背面軸線上形成裂紋，我們可以利用Griffith微裂紋理論，微裂紋化源于增強(qiáng)體與基體的熱膨脹系數(shù)或模量不匹配。溫度變化時(shí)就會產(chǎn)生局部應(yīng)力，同時(shí)引起體積變化，所以可以將護(hù)板置于溫度突變的環(huán)境中通過溫度變化來增加材料的微小裂紋的數(shù)量，并通過子彈與護(hù)板相撞導(dǎo)致微裂紋的擴(kuò)展來消耗子彈與護(hù)板相撞擊產(chǎn)生的能量以及子彈的動能。

　　由于碳化硅纖維的抗張強(qiáng)度達(dá)到3GPa抗張模量達(dá)到220GPa,所以我們可以根據(jù)纖維自身細(xì)長的物理性質(zhì)將纖維進(jìn)行編織，編織呈致密的碳化硅陶瓷纖維板，然后將多層纖維板進(jìn)行層層重疊成多層護(hù)板，利用編織空隙充當(dāng)微裂紋，從而減少對護(hù)板的破壞程度更好地提高護(hù)甲性能。